「アナログ電子回路」藤井信生、昭晃堂

　学部三年次に 武藤先生の授業で使っていたものです。 「-集積化時代の-」というサブタイトルが付いています。

・「3.2.4 バイアスの安定度」

　トランジスタの V_B'E は温度によって大きく変化するので エミッタ抵抗 R_E を大きくして電圧安定指数 S_V を小さくする。 大きな R_E は V_CE 減少により電源利用効率が悪くなるので、 V_RC : V_CE : V_RE = 1 : 1 : 0.1〜0.5 に選ぶのが吉。 やはり V_CE は充分大きくしないとね。

・「3.2.6 バイアス回路の温度補償」

　バイアス回路に V_B'E と同じ温度補償を持たせ、温度による変化を 打ち消して、バイアスの安定化を行なう方法。 ダイオード接続されたトランジスタにより安定指数 S_V は R₂/(R₁+R₂) 倍だけ小さくなる。使えそう〜。